晶圆减薄临时键合胶，基于薄晶圆 ( 通常厚度小于100μm) 的硅穿孔 (Through-Silicon Via， TSV) 技术已经实现了3D-IC 封装，由于薄晶圆具有柔性、易碎性、容易翘曲和起伏等特点，晶圆减薄临时键合胶将器件晶圆固定在载体上，并使薄晶圆在背部加工后易于从载体上剥离。开发的临时键合胶为无色液体，具有优异的流变性能、热稳定性、化学稳定性和足够的粘接强度，并且易于剥离和清洗。